triangle
    Вид
    Колір
    Бренд
    Ціна
    від
    до
    PD
    Очистити все

    Товари для авто

    кешбек від 17 ₴
    розстрочка
    -29%

    Паяльник Quecoo T85 + припій та підставка 65W USB Якісний портативний паяльник Quecoo T85 зі змінними жалами для паяння в похідних умовах і не тільки. Легкий та зручний у використанні. Відмінна риса - це досить точне регулювання температури, що дозволяє не перегрівати деталі і саму плату при паянні.Є великий OLED-екран 128*32 пікселів, який відображає всі потрібні дані.На торці ручки встановлено: розєм живлення DC5.5/2.5 та Type-C порт. У цій моделі діапазон потужностей інтерфейсу DC5525 розширений до 9–24 В постійного струму. Також інтерфейс USB-C використовується як стандартне джерело живлення PD до 65 Вт. Увага при використанні слабко потужних блоків живлення час нагрівання до робочої температури збільшується, а потужність падає (див. фото) Особливості: швидко нагрівається до робочої температури; Зручно тримати у руці; Регулювання температури від 80 ° С; до 480 ° С; Дисплей OLED 0,87" з підсвічуванням; Використовувані типи жал TS/HS-01/T65/T85/SH72; Підтримка універсального протоколу PD/QC; Ручка із пластикового матеріалу, компактна та легка; Характеристики: Модель: T85; Максимальна потужність: Type-C 65Вт/DC 5.5*2.5mm 96 Вт; Діапазон робочої температури: 80-480 ° С; Похибка температури: ±2 °С; одиниця вимірювання температури: ° C/ ° F Напруга живлення: 9 - 24 В Тип жал: TS/HS-01/T65/T85/SH72 Дисплей OLED: 128*32 pixel Розміри ручки паяльника: 114 х 18 х 15 мм; Довжина паяльника із жалом: 164 мм; Вага паяльника (із встановленим джалом): 37 г; Комплектація: Паяльник, кабель Type-c, жало типу TS-K; перехідники під різні типи тис - 2шт підставка губка кабель заземлення Припій інструкція
    кешбек від 5 ₴
    розстрочка
    -5%

    BOROFONE BC41 Eminency призначений для під'єднання до гнізд прикурювача в автомобілі, де щільно фіксуючись лаконічно впишеться в салон і стане його невіддільним елементом. Модель обладнана Bluetooth V5.0 і мікрофоном для під'єднання смартфонів або планшетів для програвання музики або приймання дзвінків через акустику авто за допомогою штатного FM-приймача, який необхідно налаштувати на одну з модулятором хвилю. Аналогічним способом здійснюється і відтворення музики з карт пам'яті й USB-флешок, для чого є відповідні інтерфейси. Функціонал аксесуара доповнений роз'ємом USB для заряджання ґаджетів, який підтримує заряджання за протоколами QC3.0, AFC і FCP до 18W. USB-роз'єми, отвір мікрофона, кнопки керування та LED-дисплей, що показує поточну станцію, розміщені на верхній панелі пристрою, а слот для карти пам'яті — на бічній грані. Характеристики: Bluetooth v5.0, чип Blue trum AB5323 Мікрофон Вхід DC12~24V Вихід USB QC3.0 18W (для QC3.0/для FCP/для AFC), USB — 5V/1A Підтримка режимів відтворення BT, USB, TF Розміри 74*45*33 мм Вага 26 г
    -25%
    491 ₴
    369 ₴
    IRF9130 PD (369608436)

    Полярність: P Pdⓘ - Максимальна потужність, що розсіюється: 75 W |Vds|ⓘ - Гранично допустима напруга стік-витік: 100 V |Vgs|ⓘ - гранично допустима напруга затвор-витік: 20 V |Vgs(th)|ⓘ - Порогова напруга включення: 4 V |Id|ⓘ - Максимально допустимий постійний струм стоку: 11 A Tjⓘ - Максимальна температура каналу: 150 °C Qgⓘ - Загальний заряд затвора: 29(max) nC trⓘ - Час зростання: 140(max) ns Cossⓘ - Вихідна ємність: 350 pf Rdsⓘ - Опір сток-витік відкритого транзистора: 0.3 Ohm Тип корпусу: TO3
    кешбек від 3 ₴
    -22%

    Автомобільний зарядний пристрій з підтримкою технологій швидкого заряджання Qualcomm Quick Charge 3.0 та Qualcomm Quick Charge 2.0 оснащений двома USB портами та двома Type-C портами дозволить заряджати ваш смартфон, планшет, електронну сигарету або два будь-які інші пристрої одночасно. Технологія Quick Charge 3.0 дозволить вам зарядити ваш смартфон від 0% до 80% всього за 35 хвилин, це вчетверо швидше, ніж при використанні звичайних 5W зарядок, які зазвичай поставляються виробниками в комплекті з мобільними пристроями та гаджетами. Інтегрований інтелектуальний чіп автоматично визначає тип підключеного пристрою, гнучко регулює напругу, силу струму та дозволяє максимально швидко та ефективно зарядити пристрій. Протиковзкі затискачі надійно кріплять зарядний пристрій у гнізді прикурювача. Автомобільний зарядний пристрій має безліч ступенів захисту, а саме захист від перенапруги, короткого замикання, перегріву, перевантаження, перевищення вихідного струму та захист від перезарядження пристрою.Вхідна напруга: 12 - 32 ВВихідна напруга зарядного пристрою: QC3.0: 5V/3.0A, 9V/1.8A, 12V/1.8A PD: 5V/3.0A, 9V/2.22A, 12V/1.8AБудь ласка, зверніть увагу, що швидка зарядка Quick Charge 3.0 можлива лише у разі дотримання таких умов:кабель зарядки (USB-шнурок, який з'єднує зарядний пристрій з заряджається) повинен підтримувати передачу струму потужністю, що відповідає стандартам Quick Charge 3.0;Зарядний пристрій повинен підтримувати функцію швидкого заряджання Quick Charge 3.0.
    кешбек від 2 ₴
    -28%

    Автомобільний зарядний пристрій з підтримкою технологій швидкого заряджання Qualcomm Quick Charge 3.0 та Qualcomm Quick Charge 2.0 оснащений двома USB портами і Type-C дозволить заряджати ваш смартфон, планшет, електронну сигарету або два будь-які інші пристрої одночасно. Технологія Quick Charge 3.0 дозволить вам зарядити ваш смартфон від 0% до 80% всього за 35 хвилин, це вчетверо швидше, ніж при використанні звичайних 5W зарядок, які зазвичай поставляються виробниками в комплекті з мобільними пристроями та гаджетами. Інтегрований інтелектуальний чіп автоматично визначає тип підключеного пристрою, гнучко регулює напругу, силу струму та дозволяє максимально швидко та ефективно зарядити пристрій. Протиковзкі затискачі надійно кріплять зарядний пристрій у гнізді прикурювача. Автомобільний зарядний пристрій має безліч ступенів захисту, а саме захист від перенапруги, короткого замикання, перегріву, перевантаження, перевищення вихідного струму та захист від перезарядження пристрою.Вхідна напруга: 12 - 32 ВВихідна напруга зарядного пристрою: 35W (5=35A / 9V=1.8A / 12V=1.5A)Будь ласка, зверніть увагу, що швидка зарядка Quick Charge 3.0 можлива лише у разі дотримання таких умов:кабель зарядки (USB-шнурок, який з'єднує зарядний пристрій з заряджається) повинен підтримувати передачу струму потужністю, що відповідає стандартам Quick Charge 3.0;Зарядний пристрій повинен підтримувати функцію швидкого заряджання Quick Charge 3.0.
    -25%
    185 ₴
    139 ₴
    STW15NA50 PD (369608428)

    Тип транзистора: MOSFET Полярність: N Pdⓘ - Максимальна потужність, що розсіюється: 190 W |Vds|ⓘ - Гранично допустима напруга стік-витік: 500 V |Vgs|ⓘ - гранично допустима напруга затвор-витік: 30 V |Vgs(th)|ⓘ - Порогова напруга включення: 3.75 V |Id|ⓘ - Максимально допустимий постійний струм стоку: 14.6 A Tjⓘ - Максимальна температура каналу: 150 °C Qgⓘ - Загальний заряд затвора: 110 nC trⓘ - Час зростання: 37 ns Cossⓘ - Вихідна ємність: 345 pf Rdsⓘ - Опір сток-витік відкритого транзистора: 0.4 Ohm Тип корпусу: TO247
    кешбек від 1 ₴
    -39%

    Автомобільний зарядний пристрій з підтримкою технологій швидкого заряджання Qualcomm Quick Charge 3.0 та Qualcomm Quick Charge 2.0 оснащений двома USB портами дозволить заряджати ваш смартфон, планшет, електронну сигарету або два будь-які інші пристрої одночасно. Технологія Quick Charge 3.0 дозволить вам зарядити ваш смартфон від 0% до 80% всього за 35 хвилин, це вчетверо швидше, ніж при використанні звичайних 5W зарядок, які зазвичай поставляються виробниками в комплекті з мобільними пристроями та гаджетами. Інтегрований інтелектуальний чіп автоматично визначає тип підключеного пристрою, гнучко регулює напругу, силу струму та дозволяє максимально швидко та ефективно зарядити пристрій. Протиковзкі затискачі надійно кріплять зарядний пристрій у гнізді прикурювача. Автомобільний зарядний пристрій має безліч ступенів захисту, а саме захист від перенапруги, короткого замикання, перегріву, перевантаження, перевищення вихідного струму та захист від перезарядження пристрою.Вхідна напруга: 12 - 32 ВВихідна напруга зарядного пристрою: 35W (5=35A / 9V=1.8A / 12V=1.5A)Будь ласка, зверніть увагу, що швидка зарядка Quick Charge 3.0 можлива лише у разі дотримання таких умов:кабель зарядки (USB-шнурок, який з'єднує зарядний пристрій з заряджається) повинен підтримувати передачу струму потужністю, що відповідає стандартам Quick Charge 3.0;Зарядний пристрій повинен підтримувати функцію швидкого заряджання Quick Charge 3.0.
    -25%

    Тип транзистора: MOSFET Тип каналу керування: N-канал Максимальна розсіювана потужність (Pd): 240 Вт Максимальна напруга витік-витік |Vds|: 1000 В Максимальна напруга затвор-витік |Vgs|: 30 В Максимальний струм стоку |Id|: 8 А Максимальна температура з'єднання (Tj): 150 °C Загальний заряд затвора (Qg): 66 нКл Час наростання (tr): 13 нс Вихідна ємність (Cd): 230 пФ Максимальний опір витоку-витоку у відкритому стані (Rds): 1,6 Ом Корпус: TO247
    -25%
    136 ₴
    102 ₴
    2SK1378 PD (369608474)

    Тип транзистора: MOSFET Тип каналу керування: N-канал Максимальна розсіювана потужність (Pd): 125 Вт Максимальна напруга витік-витік |Vds|: 400 В Максимальна напруга затвор-витік |Vgs|: 30 В Максимальний струм стоку |Id|: 10 А Максимальна температура з'єднання (Tj): 150 °C Час наростання (tr): 16 нс Вихідна ємність (Cd): 170 пФ Максимальний опір у відкритому стані сток-витік (Rds): 0,55 Ом Корпус: TO220AB
    -24%
    131 ₴
    99 ₴
    IRFP340 PD (369608461)

    IRFP340 Тип транзистора: MOSFET Тип каналу керування: N-канал Максимальна розсіювана потужність (Pd): 150 Вт Максимальна напруга витік-витік |Vds|: 400 В Максимальна напруга затвор-витік |Vgs|: 20 В Максимальна порогова напруга затвора |Vgs(th)|: 4 В Максимальний струм стоку |Id|: 11 А Максимальна температура з'єднання (Tj): 150 °C Загальний заряд затвора (Qg): 62 (макс.) нКл Час наростання (tr): 27 нс Вихідна ємність (Cd): 400 пФ Максимальний опір у відкритому стані сток-витік (Rds): 0,55 Ом Корпус: TO247AC
    -25%
    120 ₴
    90 ₴
    2N3439 PD (369608433)

    Виробник: MULTICOMP PRO Опис: MULTICOMP PRO - 2N3439 - Один біполярний транзистор (BJT), NPN, 350 В, 1 A, 1 Вт, TO-39, наскрізний отвір Монтаж транзистора: через отвір Посилення постійного струму hFE: 160 MSL: - Розсіювана потужність Pd: 1 Частота кросовера футів: 15 Конструкція - Транзистор: ТО-39 Напруга колектор-емітер V(br)ceo: 350 Кількість контактів: 3 Асортимент продукції: - Полярність перетворювача: NPN Постійний струм колектора: 1 Робоча температура, макс.: 200
    -25%

    IRF4905S Тип транзистора: MOSFET Тип каналу керування: P-канал Максимальна розсіювана потужність (Pd): 200 Вт Максимальна напруга витік-витік |Vds|: 55 В Максимальна напруга затвор-витік |Vgs|: 20 В Максимальна порогова напруга затвора |Vgs(th)|: 4 В Максимальний струм стоку |Id|: 74 А Максимальна температура з'єднання (Tj): 175 °C Загальний заряд затвора (Qg): 180 (макс.) нКл Час наростання (tr): 99 нс Вихідна ємність (Cd): 1400 пФ Максимальний опір витоку-витоку у відкритому стані (Rds): 0,02 Ом Корпус: TO263
    -24%
    94 ₴
    71 ₴
    IRCZ34 PD (369608434)

    IRCZ34 Тип транзистора: MOSFET Тип каналу керування: N-канал Максимальна розсіювана потужність (Pd): 88 Вт Максимальна напруга витік-витік |Vds|: 60 В Максимальна напруга затвор-витік |Vgs|: 20 В Максимальна порогова напруга затвора |Vgs(th)|: 4 В Максимальний струм стоку |Id|: 30 А Максимальна температура з'єднання (Tj): 175 °C Загальний заряд затвора (Qg): 46 нКл Час наростання (tr): 100 нс Вихідна ємність (Cd): 640 пФ Максимальний опір витоку-витоку у відкритому стані (Rds): 0,05 Ом Корпус: ТО-220-5
    -25%
    93 ₴
    70 ₴
    2SK856 PD (369608430)

    Тип транзистора: MOSFET Тип каналу керування: N-канал Максимальна розсіювана потужність (Pd): 125 Вт Максимальна напруга витік-витік |Vds|: 60 В Максимальна напруга затвор-витік |Vgs|: 20 В Максимальний струм стоку |Id|: 45 А Максимальна температура з'єднання (Tj): 150 °C Час наростання (tr): 40 нс Вихідна ємність (Cd): 1600 пФ Максимальний опір витоку-витоку у відкритому стані (Rds): 0,03 Ом Корпус: TO220AB
    -25%
    93 ₴
    70 ₴
    2SK890 PD (369608449)

    Тип транзистора: MOSFET Тип каналу керування: N-канал Максимальна розсіювана потужність (Pd): 75 Вт Максимальна напруга витік-витік |Vds|: 200 В Максимальна напруга затвор-витік |Vgs|: 20 В Максимальний струм стоку |Id|: 10 А Максимальна температура з'єднання (Tj): 150 °C Час наростання (tr): 18 нс Вихідна ємність (Cd): 360 пФ Максимальний опір витоку-витоку у відкритому стані (Rds): 0,4 Ом Корпус: TO220AB
    -24%

    IRFP342 Тип транзистора: MOSFET Тип каналу керування: N-канал Максимальна розсіювана потужність (Pd): 125 Вт Максимальна напруга витік-витік |Vds|: 400 В Максимальна напруга затвор-витік |Vgs|: 20 В Максимальна порогова напруга затвора |Vgs(th)|: 4 В Максимальний струм стоку |Id|: 8,3 А Максимальна температура з'єднання (Tj): 150 °C Загальний заряд затвора (Qg): 42 нКл Час наростання (tr): 27 нс Вихідна ємність (Cd): 178 пФ Максимальний опір витоку-витоку у відкритому стані (Rds): 0,8 Ом Корпус: TO3P
    -24%
    71 ₴
    54 ₴
    2SJ241 PD (369608492)

    Тип транзистора: MOSFET Тип каналу керування: P-канал Максимальна розсіювана потужність (Pd): 100 Вт Максимальна напруга витік-витік |Vds|: 60 В Максимальна напруга затвор-витік |Vgs|: 20 В Максимальна порогова напруга затвора |Vgs(th)|: 2 В Максимальний струм стоку |Id|: 20 А Максимальна температура з'єднання (Tj): 150 °C Час наростання (tr): 20 нс Вихідна ємність (Cd): 1500 пФ Максимальний опір у відкритому стані сток-витік (Rds): 0,045 Ом Корпус: TO220FL
    -25%
    69 ₴
    52 ₴
    2SJ238 PD (369608505)

    Тип транзистора: MOSFET Тип каналу керування: P-канал Максимальна розсіювана потужність (Pd): 1,5 Вт Максимальна напруга витік-витік |Vds|: 60 В Максимальна напруга затвор-витік |Vgs|: 20 В Максимальний струм стоку |Id|: 1 А Максимальна температура з'єднання (Tj): 150 °C Час наростання (tr): 60 нс Вихідна ємність (Cd): 75 пФ Максимальний опір у відкритому стані сток-витік (Rds): 0,68 Ом Корпус: SC62
    -25%
    68 ₴
    51 ₴
    BF966S PD (369608500)

    Тип транзистора: MOSFET Тип каналу керування: N-канал Максимальна розсіювана потужність (Pd): 0,2 Вт Максимальна напруга витік-витік |Vds|: 20 В Максимальна напруга затвор-витік |Vgs|: 8,5 В Максимальний струм стоку |Id|: 0,03 А Максимальна температура з'єднання (Tj): 150 °C Вихідна ємність (Cd): 2,6 пФ Максимальний опір у відкритому стані сток-витік (Rds): 200 Ом Корпус: MACROX
    -24%
    66 ₴
    50 ₴
    IRF430 PD (369608437)

    IRF430 Тип транзистора: MOSFET Тип каналу керування: N-канал Максимальна розсіювана потужність (Pd): 75 Вт Максимальна напруга витік-витік |Vds|: 500 В Максимальна напруга затвор-витік |Vgs|: 20 В Максимальна порогова напруга затвора |Vgs(th)|: 4 В Максимальний струм стоку |Id|: 4,5 А Максимальна температура з'єднання (Tj): 150 °C Загальний заряд затвора (Qg): 40 (макс.) нКл Час наростання (tr): 40 (макс.) нс Вихідна ємність (Cd): 135 пФ Максимальний опір у відкритому стані сток-витік (Rds): 1,5 Ом Корпус: TO3
    -24%
    66 ₴
    50 ₴
    BUZ41A PD (369608463)

    BUZ41A Тип транзистора: MOSFET Тип каналу керування: N-канал Максимальна розсіювана потужність (Pd): 75 Вт Максимальна напруга витік-витік |Vds|: 500 В Максимальний струм стоку |Id|: 4,5 А Максимальна температура з'єднання (Tj): 150 °C Максимальний опір у відкритому стані сток-витік (Rds): 1,5 Ом Корпус: TO220M
    -25%
    60 ₴
    45 ₴
    3N211 PD (369608441)

    Тип транзистора: MOSFET Тип каналу керування: N-канал Максимальна розсіювана потужність (Pd): 0,36 Вт Максимальна напруга витік-витік |Vds|: 27 В Максимальна напруга затвор-витік |Vgs|: 35 В Мінімальна напруга відключення затвор-витік |Vgs(off)|: 0,2 В Максимальний струм стоку |Id|: 0,05 А Максимальна температура з'єднання (Tj): 200 °C Максимальний опір у відкритому стані сток-витік (Rds): 100 Ом Корпус: TO72
    -25%

    Тип транзистора: MOSFET Полярність: N Pdⓘ - Максимальна потужність, що розсіюється: 125 W |Vds|ⓘ - Гранично допустима напруга стік-витік: 1000 V |Vgs|ⓘ - гранично допустима напруга затвор-витік: 20 V |Vgs(th)|ⓘ - Порогова напруга включення: 4 V |Id|ⓘ - Максимально допустимий постійний струм стоку: 4 A Tjⓘ - Максимальна температура каналу: 150 °C Qgⓘ - Загальний заряд затвора: 80 nC trⓘ - Час зростання: 30 ns Cossⓘ - Вихідна ємність: 165 pf Rdsⓘ - Опір сток-витік відкритого транзистора: 3.5 Ohm Тип корпусу: TO220
    -25%

    Type of Transistor: MOSFET Type of Control Channel: N -Channel Maximum Power Dissipation (Pd): 25 W Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 200 V Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 10 V Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 2 V Maximum Drain Current |Id|: 2 A Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C Rise Time (tr): 10 nS Drain-Source Capacitance (Cd): 60(max) pF Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 3.5 Ohm