ІНВЕРТОРНИЙ ЗАРЯДНИЙ ПРИСТРІЙ 12V/24V POWERMAT PM-PI-400T Інверторний випрямляч — це обладнання, що дає змогу заряджати різні типи олив'яно-кислотних акумуляторів. Це можуть бути батареї WET з рідким електролітом, GEL з гелевим електролітом або AGM з електролітопоглинальним матом. Крім того, пристрій допомагає запускати двигуни внутрішнього згоряння. Воно працює за допомогою перетворення струму та напруги, що надходять з електромережі, у струм і напругу, безпечні для ефективного заряджання акумуляторів. Завдяки процесу заряджання ми забезпечуємо відповідну продуктивність акумулятора, що неабияк подовжує термін його експлуатації. Функція запуску дає змогу завести практично будь-який автомобіль навіть за повністю розрядженого акумулятора. Технічні характеристики Номінальна напруга: 230 В / 50 Гц Ток зарядки: 5 - 40 [A] Ємність акумулятора: 25 - 800 [А·год]. Напруга зарядного струму: 12 В / 24 В Максимальний пусковий струм: 400 A Максимальна споживана потужність: 100 - 1200 [Вт]. Робоча температура: -20°C - 40°C Ефективність: 98% Клас водонепроникності: IP 20 Довжина кабелів дужкового типу: 183 см Довжина кабелю живлення: 195 см У комплекті 1 Інверторний випрямляч Кабелі з клемами "-" і "+" Коробка Інструкція з експлуатації польською мовою Функціональні можливості Випрямляч автоматично регулює струм, що подається, залежно від потреби двигуна, на відміну від трансформаторних пристроїв, які подають струм статично, що підвищує безпеку акумуляторів. Під час активації функції запуску пристрій очікує моменту, коли двигун потребуватиме струму. Тільки при повороті ключа стартера пристрій подає струм, необхідний для запуску двигуна. Прилад гарантує безпеку завдяки стабільній напрузі на виході. Він підходить як для автобусів, так і для легкових автомобілів. Завдяки технології IGBT випрямляч набагато менший за трансформаторні випрямлячі, що робить його більш компактним. Технологія IGBT Транзистори IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) - це напівпровідникові електронні елементи, що поєднують у собі характеристики біполярного транзистора і польового транзистора (MOSFET). Основними особливостями технології IGBT-транзисторів є: Висока ефективність. Висока ефективність провідності: транзистори IGBT здатні проводити значні електричні струми, що дає змогу використовувати їх у застосунках, які потребують керування високою потужністю. Вища напруга колектор-емітер: IGBT здатні витримувати вищі напруги порівняно з традиційними MOSFET, що корисно в застосунках із високою напругою. Тепловий захист: багато IGBT мають вбудовані механізми теплового захисту, які запобігають перегріванню, підвищуючи надійність пристроїв, у яких вони використовуються. Широке застосування: транзисторна технологія IGBT широко використовується в перетворювачах частоти, імпульсних джерелах живлення, системах керування живленням, системах приводу електродвигунів і багатьох інших пристроях, що вимагають ефективного керування потужністю. Застосування в промисловій електроніці: транзистори IGBT використовують у промислових пристроях, як-от інверторах, що дають змогу точно регулювати швидкість електродвигунів і перетворювати електричну енергію. Одним словом, технологія транзисторів IGBT є ключовим елементом у галузі силової електроніки, що дає змогу вдосконалити управління електроенергією в різних промислових і побутових застосунках. Кабелі вищої якості Мідна жила кабелю і повністю обгумовані затискачі забезпечують повну безпеку експлуатації та захист від морозу. Повністю захищені затискачі Міцні та довговічні, безпечні у використанні. Мідний дріт Використання мідного дроту гарантує стабільний вихідний струм. Зарядні кабелі довговічні та не виділяють тепла. Випрямляч оснащений турбовентилятором, який працює автоматично і захищає транзисторні системи IGBT.