triangle

    Оперативная память - Страница 104

    Смотрите также 👉USB флешки
    -12%

    Модуль памяти для ноутбука SoDIMM DDR4 8GB 3200 MHz Hynix (HMA81GS6CJR8N-XN)
    -11%

    DDR4, 16 ГБ, В наборе - 2, Частота памяти - 3200 МГц, Тайминги - CL22-22-22, Напряжение питания - 1.2 В, Подсветка - нет
    -11%

    DDR4, 16 ГБ, В наборе - 2, Частота памяти - 3200 МГц, Тайминги - CL22-22-22, Напряжение питания - 1.2 В, Подсветка - нет
    -11%

    Модуль памяти для компьютера DDR5 8GB 6400 MHz Samsung (M333R1GB4PB1-CCP)
    -11%

    Модуль памяти для компьютера DDR4 16GB 3200 MHz Samsung (M378A2G43CB3-CWED0)
    -11%

    DDR5, 8 ГБ, В наборе – 1, Частота памяти – 5600 МГц, Тайминги – CL46-45-45, Напряжение питания – 1.1 В, Подсветка – нет
    -11%

    DDR5, 8 ГБ, В наборе – 1, Частота памяти – 5600 МГц, Тайминги – CL46-45-45, Напряжение питания – 1.1 В, Подсветка – нет
    -11%

    DDR4, 16 ГБ, В наборе – 1, 3200 МГц, CL22, 1.2 В, 260-pin SO-DIMM, non-ECC
    -11%

    DDR4, 16 ГБ, В наборе – 1, 3200 МГц, CL22, 1.2 В, 260-pin SO-DIMM, non-ECC
    -11%

    DDR5, 8 ГБ, В наборе – 1, 5600 МГц, CL46-45-45, 1.1 В, non-ECC
    -11%

    DDR5, 8 ГБ, В наборе – 1, 5600 МГц, CL46-45-45, 1.1 В, non-ECC
    -11%

    DDR3, 16 ГБ, В наборе - 2, Частота памяти - 1333 МГц, Тайминги - CL9, Напряжение питания - 1.5 В, Подсветка - нет
    -11%

    DDR3, 16 ГБ, В наборе - 2, Частота памяти - 1333 МГц, Тайминги - CL9, Напряжение питания - 1.5 В, Подсветка - нет
    -11%

    DDR4, 16 ГБ, В наборе - 1, Частота памяти - 2666 МГц, Тайминги - CL16-18-18, Напряжение питания - 1.2 В, Подсветка - нет
    -11%

    DDR4, 16 ГБ, В наборе - 2, Частота памяти - 3200 МГц, Тайминги - CL16-18-18, Напряжение питания - 1.35 В, Подсветка - не...
    -11%

    DDR4, 16 ГБ, В наборе - 2, Частота памяти - 3200 МГц, Тайминги - CL22-22-22, Напряжение питания - 1.2 В, Подсветка - нет
    -11%

    DDR4, 16 ГБ, В наборе - 1, Частота памяти - 2666 МГц, Тайминги - CL16-18-18, Напряжение питания - 1.2 В, Подсветка - нет
    -11%

    DDR4, 8 ГБ, В наборе – 1, 3200 МГц, CL16-18-18, 1.35 В, 260-pin SO-DIMM, non-ECC
    -11%

    DDR4, 8 ГБ, В наборе – 1, 3200 МГц, CL16-18-18, 1.35 В, 260-pin SO-DIMM, non-ECC
    -12%

    Оперативная память объемом 8 ГБ от Silicon Power предназначена для установки в ноутбуки. Эффективная пропускная способно...
    -12%

    Оперативная память объемом 8 ГБ от Silicon Power предназначена для установки в ноутбуки. Эффективная пропускная способно...
    -11%

    DDR4, 16 ГБ, В наборе - 1, Частота памяти - 3200 МГц, Тайминги - CL22-22-22, Напряжение питания - 1.2 В, Подсветка - нет
    -11%

    DDR4, 16 ГБ, В наборе - 1, Частота памяти - 3200 МГц, Тайминги - CL16-18-18, Напряжение питания - 1.35 В, Подсветка - не...
    -11%

    DDR4, 16 ГБ, В наборе - 1, Частота памяти - 3200 МГц, Тайминги - CL16-18-18, Напряжение питания - 1.35 В, Подсветка - не...