triangle
    Вид
    Цвет
    Бренд
    Цена
    от
    до
    PD
    Очистить все

    Товары для авто

    кешбэк от 17 ₴
    рассрочка
    -29%

    Паяльник Quecoo T85 + припой и подставка 65W USB Качественный портативный паяльник Quecoo T85 со сменными жалами для пайки в походных условиях и не только. Легкий и удобный в использовании. Отличительная особенность - это довольно точная регулировка температуры, что позволяет не перегревать детали и саму плату при пайке. Есть большой OLED-экран 128 * 32 пикселей, который отображает все нужные данные. На торце ручки установлены: разъем питания DC5.5/2.5 и Type-C порт. В этой модели диапазон мощностей интерфейса DC5525 расширен до 9–24 В постоянного тока. Так же интерфейс USB-C используется в качестве стандартного источника питания PD до 65 Вт. Внимание при использовании слабо мощных блоков питания время нагревания до рабочей температуры увеличивается, а мощность падает (смотри фото) Особенности: быстро нагревается до рабочей температуры; Удобно держать в руке; Регулировка температуры от 80°С;до 480°С; Дисплей OLED 0,87" с подсветкой; Используемые типы жал TS / HS-01 / T65 / T85 / SH72; Поддержка универсального протокола PD/QC; Ручка из пластикового материала, компактная и легкая; Характеристики: Модель: T85; Максимальная мощность: Type-C 65Вт / DC 5.5*2.5mm 96 Вт; Диапазон рабочей температуры: 80-480 °С; Погрешность температуры: ±2 °С; единица измерения температуры: ° C/ ° F Напряжение питания: 9 - 24 В Тип жал: TS / HS-01 / T65 / T85 / SH72 Дисплей OLED: 128*32 pixel Размеры ручки паяльника: 114 х 18 х 15 мм; Длина паяльника с жалом: 164 мм; Вес паяльника (с установленным жалом): 37 г; Комплектация: Паяльник, кабель Type-c, жало типа TS-K; переходники под разные типы жал - 2шт подставка губка кабель заземления Припой инструкция
    кешбэк от 5 ₴
    рассрочка
    -5%

    BOROFONE BC41 Eminency предназначен для подключения к гнезду прикуривателя в автомобиле, где плотно фиксируясь лаконично впишется в салон и станет его неотъемлемым элементом. Модель оснащена Bluetooth V5.0 и микрофоном для подключения смартфонов или планшетов для проигрывания музыки или приема звонков через акустику авто посредством штатного FM-приемника, который необходимо настроить на одну с модулятором волну. Аналогичным образом осуществляется и воспроизведение музыки с карт памяти и USB флешек, для чего имеются соответствующие интерфейсы. Функционал аксессуара дополнен разъемом USB для зарядки гаджетов, который поддерживает зарядку по протоколам QC3.0, AFC и FCP до 18W. USB разъемы, отверстие микрофона, кнопки управления и LED дисплей, отображающий текущую станцию, находятся на верхней панели устройства, а слот для карты памяти - на боковой грани. Характеристики: Bluetooth v5.0, чип Blue trum AB5323 Микрофон Вход DC12~24V Выход USB QC3.0 18W (для QC3.0 / для FCP / для AFC), USB – 5V / 1A Поддержка режимов воспроизведения BT, USB, TF Размеры 74*45*33мм Вес 26 г
    -25%
    491 ₴
    369 ₴
    IRF9130 PD (369608436)

    Полярность: P Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C Qgⓘ - Общий заряд затвора: 29(max) nC trⓘ - Время нарастания: 140(max) ns Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm Тип корпуса:
    кешбэк от 3 ₴
    -22%

    Автомобильное зарядное устройство с поддержкой технологий быстрой зарядки Qualcomm Quick Charge 3.0 и Qualcomm Quick Charge 2.0 оснащено двумя USB портами и двумя Type-C портами позволит заряжать ваш смартфон, планшет, электронную сигарету или два других устройства одновременно. Технология Quick Charge 3.0 позволит вам зарядить ваш смартфон от 0% до 80% всего за 35 минут, это вчетверо быстрее, чем при использовании обычных 5W зарядок, обычно поставляемых производителями в комплекте с мобильными устройствами и гаджетами. Интегрированный интеллектуальный чип автоматически определяет тип подключенного устройства, гибко регулирует напряжение, силу тока и позволяет максимально быстро и эффективно зарядить устройство. Противоскользящие зажимы надежно укрепляют зарядное устройство в гнезде прикуривателя. Автомобильное зарядное устройство имеет множество степеней защиты, а именно защиту от перенапряжения, короткого замыкания, перегрева, перегрузки, превышения выходного тока и защиту от перезарядки устройства. Входное напряжение: 12 - 32 В 9V/1.8A, 12V/1.8A PD: 5V/3.0A, 9V/2.22A, 12V/1.8AПожалуйста, обратите внимание, что быстрая зарядка Quick Charge 3.0 возможна только при соблюдении следующих условий: кабель зарядки (USB-шнурок) , который соединяет зарядное устройство с заряжаемым) должен поддерживать передачу тока мощностью, соответствующей стандартам Quick Charge 3.0; Зарядное устройство должно поддерживать функцию быстрой зарядки Quick Charge 3.0.
    кешбэк от 2 ₴
    -28%

    Автомобильное зарядное устройство с поддержкой технологий быстрой зарядки Qualcomm Quick Charge 3.0 и Qualcomm Quick Charge 2.0 оснащено двумя USB портами и Type-C позволит заряжать ваш смартфон, планшет, электронную сигарету или два любых других устройства одновременно. Технология Quick Charge 3.0 позволит вам зарядить ваш смартфон от 0% до 80% всего за 35 минут, это вчетверо быстрее, чем при использовании обычных 5W зарядок, обычно поставляемых производителями в комплекте с мобильными устройствами и гаджетами. Интегрированный интеллектуальный чип автоматически определяет тип подключенного устройства, гибко регулирует напряжение, силу тока и позволяет максимально быстро и эффективно зарядить устройство. Противоскользящие зажимы надежно укрепляют зарядное устройство в гнезде прикуривателя. Автомобильное зарядное устройство имеет множество степеней защиты, а именно защиту от перенапряжения, короткого замыкания, перегрева, перегрузки, превышения выходного тока и защиту от перезарядки устройства. Входное напряжение: 12 - 32 В. A / 12V=1.5A)Пожалуйста, обратите внимание, что быстрая зарядка Quick Charge 3.0 возможна только в случае соблюдения следующих условий: кабель зарядки (USB-шнурок, соединяющий зарядное устройство с заряжаемым) должен поддерживать передачу тока мощностью соответствует стандартам Quick Charge 3.0; Зарядное устройство должно поддерживать функцию быстрой зарядки Quick Charge 3.0.
    -25%
    185 ₴
    139 ₴
    STW15NA50 PD (369608428)

    Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.75 V |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14.6 A Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C Qgⓘ - Общий заряд затвора: 110 nC trⓘ - Время нарастания: 37 ns Cossⓘ - Выходная емкость: 345 pf Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm Тип корпуса:
    кешбэк от 1 ₴
    -39%

    Автомобильное зарядное устройство с поддержкой технологий быстрой зарядки Qualcomm Quick Charge 3.0 и Qualcomm Quick Charge 2.0 оснащено двумя USB портами позволит заряжать ваш смартфон, планшет, электронную сигарету или два любых других устройства одновременно. Технология Quick Charge 3.0 позволит вам зарядить ваш смартфон от 0% до 80% всего за 35 минут, это вчетверо быстрее, чем при использовании обычных 5W зарядок, обычно поставляемых производителями в комплекте с мобильными устройствами и гаджетами. Интегрированный интеллектуальный чип автоматически определяет тип подключенного устройства, гибко регулирует напряжение, силу тока и позволяет максимально быстро и эффективно зарядить устройство. Противоскользящие зажимы надежно укрепляют зарядное устройство в гнезде прикуривателя. Автомобильное зарядное устройство имеет множество степеней защиты, а именно защиту от перенапряжения, короткого замыкания, перегрева, перегрузки, превышения выходного тока и защиту от перезарядки устройства. Входное напряжение: 12 - 32 В. A / 12V=1.5A)Пожалуйста, обратите внимание, что быстрая зарядка Quick Charge 3.0 возможна только в случае соблюдения следующих условий: кабель зарядки (USB-шнурок, соединяющий зарядное устройство с заряжаемым) должен поддерживать передачу тока мощностью соответствует стандартам Quick Charge 3.0; Зарядное устройство должно поддерживать функцию быстрой зарядки Quick Charge 3.0.
    -25%

    Тип транзистора: MOSFET Тип канала управления: N-канал Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 240 Вт Максимальное напряжение утечка-утечка |Vds|: 1000 В Максимальное напряжение затвор-утечка |Vgs|: 30 В Максимальный ток стока | Id |: 8 А Максимальная температура соединения (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 66 нКл Время нарастания (tr): 13 нс Выходная емкость (Cd): 230 пФ Максимальное сопротивление утечке-утечке в открытом состоянии (Rds): 1,6 Ом Корпус: TO247
    -25%
    136 ₴
    102 ₴
    2SK1378 PD (369608474)

    Тип транзистора: MOSFET Тип канала управления: N-канал Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 Вт Максимальное напряжение утечка-утечка |Vds|: 400 В Максимальное напряжение затвор-утечка |Vgs|: 30 В Максимальный ток стока | Id |: 10 А Максимальная температура соединения (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 16 нс Выходная емкость (Cd): 170 пФ Максимальное сопротивление в открытом состоянии сток-утечка (Rds): 0,55 Ом Корпус: TO220AB
    -24%
    131 ₴
    99 ₴
    IRFP340 PD (369608461)

    IRFP340 Тип транзистора: MOSFET Тип канала управления: N-канал Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 Вт Максимальное напряжение утечка-утечка |Vds|: 400 В Максимальное напряжение затвор-утечка |Vgs|: 20 В Максимальное пороговое затворное напряжение |Vgs(th)|: 4 В Максимальный ток стока | Id |: 11 А Максимальная температура соединения (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 62 (макс.) нКл Время нарастания (tr): 27 нс Выходная емкость (Cd): 400 пФ Максимальное сопротивление в открытом состоянии сток-утечка (Rds): 0,55 Ом Корпус: TO247AC
    -25%
    120 ₴
    90 ₴
    2N3439 PD (369608433)

    Производитель: MULTICOMP PRO Описание: MULTICOMP PRO – 2N3439 – Один биполярный транзистор (BJT), NPN, 350 В, 1 A, 1 Вт, TO-39, сквозное отверстие Монтаж транзистора: через отверстие Усиление постоянного тока hFE: 160 MSL: - Рассеяемая мощность Pd: 1 Частота кроссовера футов: 15 Конструкция Транзистор: ТО-39 Напряжение коллектор-эмиттер V(br)ceo: 350 Количество контактов: 3 Ассортимент продукции: - Полярность преобразователя: NPN Постоянный ток коллектора: 1 Рабочая температура, макс.: 200
    -25%

    IRF4905S Тип транзистора: MOSFET Тип канала управления: P-канал Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200 Вт Максимальное напряжение утечка-утечка |Vds|: 55 В Максимальное напряжение затвор-утечка |Vgs|: 20 В Максимальное пороговое затворное напряжение |Vgs(th)|: 4 В Максимальный ток стока | Id |: 74 А Максимальная температура соединения (Tj): 175 °C Общий заряд затвора (Qg): 180 (макс.) нКл Время произрастания (tr): 99 нс Выходная емкость (Cd): 1400 пФ Максимальное сопротивление утечке-утечке в открытом состоянии (Rds): 0,02 Ом Корпус: TO263
    -24%
    94 ₴
    71 ₴
    IRCZ34 PD (369608434)

    IRCZ34 Тип транзистора: MOSFET Тип канала управления: N-канал Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 88 Вт Максимальное напряжение утечка-утечка |Vds|: 60 В Максимальное напряжение затвор-утечка |Vgs|: 20 В Максимальное пороговое затворное напряжение |Vgs(th)|: 4 В Максимальный ток стока | Id |: 30 А Максимальная температура соединения (Tj): 175 °C Общий заряд затвора (Qg): 46 нКл Время роста (tr): 100 нс Выходная емкость (Cd): 640 пФ Максимальное сопротивление утечке-утечке в открытом состоянии (Rds): 0,05 Ом Корпус: ТО-220-5
    -25%
    93 ₴
    70 ₴
    2SK856 PD (369608430)

    Тип транзистора: MOSFET Тип канала управления: N-канал Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 Вт Максимальное напряжение утечка-утечка |Vds|: 60 В Максимальное напряжение затвор-утечка |Vgs|: 20 В Максимальный ток стока | Id |: 45 А Максимальная температура соединения (Tj): 150 °C Время роста (tr): 40 нс Выходная емкость (Cd): 1600 пФ Максимальное сопротивление утечке-утечке в открытом состоянии (Rds): 0,03 Ом Корпус: TO220AB
    -25%
    93 ₴
    70 ₴
    2SK890 PD (369608449)

    Тип транзистора: MOSFET Тип канала управления: N-канал Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 75 Вт Максимальное напряжение утечка-утечка |Vds|: 200 В Максимальное напряжение затвор-утечка |Vgs|: 20 В Максимальный ток стока | Id |: 10 А Максимальная температура соединения (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 18 нс Выходная емкость (Cd): 360 пФ Максимальное сопротивление утечке-утечке в открытом состоянии (Rds): 0,4 Ом Корпус: TO220AB
    -24%

    IRFP342 Тип транзистора: MOSFET Тип канала управления: N-канал Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 Вт Максимальное напряжение утечка-утечка |Vds|: 400 В Максимальное напряжение затвор-утечка |Vgs|: 20 В Максимальное пороговое затворное напряжение |Vgs(th)|: 4 В Максимальный ток стока | Id |: 8,3 А Максимальная температура соединения (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 42 нКл Время нарастания (tr): 27 нс Выходная емкость (Cd): 178 пФ Максимальное сопротивление утечке-утечке в открытом состоянии (Rds): 0,8 Ом Корпус: TO3P
    -24%
    71 ₴
    54 ₴
    2SJ241 PD (369608492)

    Тип транзистора: MOSFET Тип канала управления: P-канал Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 Вт Максимальное напряжение утечка-утечка |Vds|: 60 В Максимальное напряжение затвор-утечка |Vgs|: 20 В Максимальное пороговое затворное напряжение |Vgs(th)|: 2 В Максимальный ток стока | Id |: 20 А Максимальная температура соединения (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 20 нс Выходная емкость (Cd): 1500 пФ Максимальное сопротивление в открытом состоянии сток-утечка (Rds): 0,045 Ом Корпус: TO220FL
    -25%
    69 ₴
    52 ₴
    2SJ238 PD (369608505)

    Тип транзистора: MOSFET Тип канала управления: P-канал Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1,5 Вт Максимальное напряжение утечка-утечка |Vds|: 60 В Максимальное напряжение затвор-утечка |Vgs|: 20 В Максимальный ток стока | Id |: 1 А Максимальная температура соединения (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 60 нс Выходная емкость (Cd): 75 пФ Максимальное сопротивление в открытом состоянии сток-утечка (Rds): 0,68 Ом Корпус: SC62
    -25%
    68 ₴
    51 ₴
    BF966S PD (369608500)

    Тип транзистора: MOSFET Тип канала управления: N-канал Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0,2 Вт Максимальное напряжение утечка-утечка |Vds|: 20 В Максимальное напряжение затвор-утечка |Vgs|: 8,5 В Максимальный ток стока | Id |: 0,03 А Максимальная температура соединения (Tj): 150 °C Выходная емкость (Cd): 2,6 пФ Максимальное сопротивление в открытом состоянии сток-утечка (Rds): 200 Ом Корпус: MACROX
    -24%
    66 ₴
    50 ₴
    IRF430 PD (369608437)

    IRF430 Тип транзистора: MOSFET Тип канала управления: N-канал Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 75 Вт Максимальное напряжение утечка-утечка |Vds|: 500 В Максимальное напряжение затвор-утечка |Vgs|: 20 В Максимальное пороговое затворное напряжение |Vgs(th)|: 4 В Максимальный ток стока | Id |: 4,5 А Максимальная температура соединения (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 40 (макс.) нКл Время нарастания (tr): 40 (макс.) нс Выходная емкость (Cd): 135 пФ Максимальное сопротивление в открытом состоянии сток-утечка (Rds): 1,5 Ом Корпус: TO3
    -24%
    66 ₴
    50 ₴
    BUZ41A PD (369608463)

    BUZ41A Тип транзистора: MOSFET Тип канала управления: N-канал Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 75 Вт Максимальное напряжение утечка-утечка |Vds|: 500 В Максимальный ток стока | Id |: 4,5 А Максимальная температура соединения (Tj): 150 °C Максимальное сопротивление в открытом состоянии сток-утечка (Rds): 1,5 Ом Корпус: TO220M
    -25%
    60 ₴
    45 ₴
    3N211 PD (369608441)

    Тип транзистора: MOSFET Тип канала управления: N-канал Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0,36 Вт Максимальное напряжение утечка-утечка |Vds|: 27 В Максимальное напряжение затвор-утечка | |Id|: 0,05 А Максимальная температура соединения (Tj): 200 °C Максимальное сопротивление в открытом состоянии сток-утечка (Rds): 100 Ом Корпус: TO72
    -25%

    Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C Qgⓘ - Общий заряд затвора: 80 nC trⓘ - Время нарастания: 30 ns Cossⓘ - Выходная емкость: 165 pf Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.5 Ohm Тип корпуса:
    -25%

    Тип транзистора: MOSFET Тип контроля Channel: N-Channel Maximum Power Dissipation (Pd): 25 W Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 200 V Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 10 V Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs( |Id|: 2 A Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C Зависимость времени (tr): 10 nS Drain-Source Capacitance (Cd): 60(max) pF Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 3.5 Ohm