Стать партнером
Мобильное приложение
Помощь
RU
Профиль
Вишлисты
Все акции
Открыть карту
Подарки
Женщинам
Мужчинам
Субсидий
Кешбэк
Обувь
Потрібнички
Детям
Дом
Наше
Белье
Аксессуары
Спорт
Красота
Premium
triangle
    КаталогЭлектроника и техникаТовары для авто
    Каталог
    Электроника и техника
    Смартфоны и гаджетыБесперебойникиСолнечные батареиНоутбуки, ПК и офисБытовая техникаТВ, аудио и видеоТовары для авто
    Показать ещё
    Свернуть
    Вид
    Цвет
    Бренд
    Цена
    от
    до
    PD
    Очистить все

    Товары для авто

    АвтоаксессуарыАвтомобильная электроникаАвтозвукАвтокосметикаАвтомаслаАвтосветАвтохимияПитание для автоАвтозапчастиСервис и диагностикаШины и диски
    Смотрите также 👉Наборы инструментов 🛠️•Автохолодильники ❄️•Автокресла
    Вид

    Стабилитрон Корпус: SOD-80 Напряжение стабилизации, Vz: 9,1 V Ток стабилизации, Izt: 5mA Мощность, Pd: 0,4 W Монтаж: SMD Температурный коэффициент: 5.5mV/K

    Корпус: SOD-80 Напряжение стабилизации, Vz: 75 V Ток стабилизации, Izt: 2mA Мощность, Pd: 0,4 W Монтаж: SMD

    Корпус: SOD-80 Напряжение стабилизации, Vz: 15 V Ток стабилизации, Izt: 5mA Мощность, Pd: 0,4 W Монтаж: SMD

    Корпус: SOD-80 Напряжение стабилизации, Vz: 51 V Ток стабилизации, Izt: 2mA Мощность, Pd: 0,4 W Монтаж: SMD

    Корпус: SOT-23 Напряжение стабилизации, Vz: 24 V Ток стабилизации, Izt: 5mA Мощность Pd: 0,4 W Монтаж: SMD

    Стабилитрон Корпус: DO-41 Напряжение стабилизации, Vz: 33 V Ток стабилизации, Izt: 8mA Мощность, Pd: 1,3 W Монтаж: THT

    Транзистор PDTC144WEF — это биполярный транзистор NPN со встроенными резисторами, позволяющий упростить схемы и уменьшить количество компонентов. Основные характеристики Тип транзистора: NPN, предварительно биасированный (pre-biased) Напряжение коллектор-эмиттер (Vceo): 50 В Максимальный ток коллектора (Ic max): 100 мА Мощность рассеяния (PC): 250 мВт Встроенные резисторы: R1 = 47 кОм (базовый резистор) R2 = 22 кОм (эмиттерный резистор) Тип корпуса: SOT-523 (SC-89) Температурный диапазон от -65°C до +150°C. Преимущества использования Встроенные резисторы: уменьшают необходимость в дополнительных компонентах, упрощая дизайн схемы. Уменьшение стоимости: благодаря уменьшению количества компонентов снижаются затраты на монтаж и компоновку. Универсальность: подходит для общего предназначения, включая инверторы, интерфейсные и драйверные схемы. Применение PDTC144WEF идеально подходит для: Общее назначение в схемах переключения и усиления. Инверторные и интерфейсные схемы. Драйверные схемы.
    -14%

    Тип транзистора: JFET Полярность: N Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 26 V |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 4 V |Vgs(off)|ⓘ - Минимальное напряжение отсечки: 0.6 V |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.014 A Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C Тип корпуса: TO-92
    -14%

    Тип транзистора: MOSFET Тип канала управления: N-канал Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0,83 Вт Максимальное напряжение утечка-утечка |Vds|: 60 В Максимальное напряжение затвор-утечка |Vgs|: 20 В Максимальное пороговое затворное напряжение |Vgs(th)|: 3 В Максимальный ток стока | Id |: 0,5 А Максимальная температура соединения (Tj): 150 °C Максимальное сопротивление в открытом состоянии сток-утечка (Rds): 5 Ом Корпус: TO92
    -25%

    Тип транзистора: MOSFET Тип канала управления: P-канал Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0,8 Вт Максимальное напряжение утечка-утечка |Vds|: 60 В Максимальное напряжение затвор-утечка |Vgs|: 20 В Максимальное пороговое затворное напряжение |Vgs(th)|: 3 В Максимальный ток стока | Id |: 0,27 A Максимальная температура соединения (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 1,7 нКл Время нарастания (tr): 15,5 нс Максимальное сопротивление утечке-утечке в открытом состоянии (Rds): 6 Ом Корпус: ТО-92
    -21%
    14 ₴
    11 ₴
    P2N60A PD (369608491)

    Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C Qgⓘ - Общий заряд затвора: 15 nC trⓘ - Время нарастания: 15 ns Cossⓘ - Выходная емкость: 38 pf Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm Тип корпуса:
    -21%
    14 ₴
    11 ₴
    BF245 PD (369608503)

    Тип канала управления: N-канал Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0,35 Вт Максимальное напряжение утечка-утечка |Vds|: 30 В Максимальный ток стока | Id |: 0,0065 А Максимальная температура соединения (Tj): 150 °C Выходная емкость (Cd): 1,1 пФ Максимальное сопротивление в открытом состоянии сток-утечка (Rds): 1000 Ом Корпус: TO92
    -25%

    Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C Qgⓘ - Общий заряд затвора: 18.8 nC trⓘ - Время нарастания: 9.5 ns Cossⓘ - Выходная емкость: 67 pf Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm Тип корпуса:
    -25%

    Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.7 A Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C Qgⓘ - Общий заряд затвора: 8.4(max) nC trⓘ - Время нарастания: 110 ns Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm Тип корпуса: HD-1
    -25%

    Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 88 W |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C Qgⓘ - Общий заряд затвора: 38(max) nC trⓘ - Время нарастания: 52 ns Cossⓘ - Выходная емкость: 340 pf Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm Тип корпуса:
    -23%
    22 ₴
    17 ₴
    J108 PD (369608439)

    Тип транзистора: JFET Полярность: N Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.4 W |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V |Vgs(off)|ⓘ - Минимальное напряжение отсечки: 3 V |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.08 A Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8 Ohm Тип корпуса: TO92
    -23%
    22 ₴
    17 ₴
    BUZ76 PD (369608483)

    BUZ76 Тип транзистора: MOSFET Тип канала управления: N-канал Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 Вт Максимальное напряжение утечка-утечка |Vds|: 400 В Максимальный ток стока | Id |: 2,6 А Максимальная температура соединения (Tj): 150 °C Максимальное сопротивление утечке-утечке в открытом состоянии (Rds): 2,5 Ом Корпус: TO220M
    -23%
    22 ₴
    17 ₴
    IRF520 PD (369608489)

    Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.2 A Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C Qgⓘ - Общий заряд затвора: 16(max) nC trⓘ - Время нарастания: 30 ns Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.27 Ohm Тип корпуса:
    -22%
    27 ₴
    21 ₴
    BUZ20 PD (369608448)

    BUZ20 Тип транзистора: MOSFET Тип канала управления: N-канал Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 75 Вт Максимальное напряжение утечка-утечка |Vds|: 100 В Максимальный ток стока | Id |: 14 А Максимальная температура соединения (Tj): 150 °C Максимальное сопротивление утечке-утечке в открытом состоянии (Rds): 0,2 Ом Корпус: TO220M
    -22%
    27 ₴
    21 ₴
    BUZ76A PD (369608460)

    BUZ76A Тип транзистора: MOSFET Тип канала управления: N-канал Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 75 Вт Максимальное напряжение утечка-утечка |Vds|: 400 В Максимальное напряжение затвор-утечка |Vgs|: 20 В Максимальный ток стока | Id |: 3,8 А Максимальная температура соединения (Tj): 150 °C Выходная емкость (Cd): 450 пФ Максимальное сопротивление утечке-утечке в открытом состоянии (Rds): 2,5 Ом Корпус: TO220
    -22%

    BUZ100S Тип транзистора: MOSFET Тип канала управления: N-канал Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 170 Вт Максимальное напряжение утечка-утечка |Vds|: 55 В Максимальное напряжение затвор-утечка |Vgs|: 20 В Максимальное пороговое затворное напряжение |Vgs(th)|: 4 В Максимальный ток стока | Id |: 77 А Максимальная температура соединения (Tj): 175 °C Общий заряд затвора (Qg): 65 нКл Время роста (tr): 30 нс Выходная емкость (Cd): 615 пФ Максимальное сопротивление утечке-утечке в открытом состоянии (Rds): 0,015 Корпус: TO-220AB
    -22%
    27 ₴
    21 ₴
    J177 PD (369608494)

    Тип транзистора: JFET Полярность: P Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 2.5 V |Vgs(off)|ⓘ - Минимальное напряжение отсечки: 5 V |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.02 A Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 300 Ohm Тип корпуса:
    -24%

    IRFF212 Тип транзистора: MOSFET Тип канала управления: N-канал Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 15 Вт Максимальное напряжение утечка-утечка |Vds|: 200 В Максимальное напряжение затвор-утечка |Vgs|: 20 В Максимальное пороговое затворное напряжение |Vgs(th)|: 4 В Максимальный ток стока | Id |: 1,8 А Максимальная температура соединения (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 15 нс Выходная емкость (Cd): 80 пФ Максимальное сопротивление утечке-утечке в открытом состоянии (Rds): 2,4 Ом Корпус: TO39
    -24%

    IRF6609 Тип транзистора: MOSFET Тип канала управления: N-канал Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2,8 Вт Максимальное напряжение утечка-утечка |Vds|: 20 В Максимальное напряжение затвор-утечка |Vgs|: 20 В Максимальное пороговое затворное напряжение |Vgs(th)|: 2,45 В Максимальный ток стока | Id |: 31 А Максимальная температура соединения (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 46 нКл Время произрастания (tr): 95 нс Выходная емкость (Cd): 1850 пФ Максимальное сопротивление в открытом состоянии сток-утечка (Rds): 0,002 Ом Корпус: DIRECTFET