Каталог

Профиль

КаталогЭлектроника и техникаТовары для авто

Каталог

Электроника и техника

Фильтры

от

до

Выбранные (1)

Очистить все

Все для автомобилей (Бренд - PD)

Автоаксессуары Автомобильная электроника Автозвук Автокосметика Автомасла Автосвет Автохимия Питание для авто Автозапчасти Сервис и диагностика Шины и диски

Сортировать

Вид

-25%

60 ₴

45 ₴

IRFP140 PD (369608506)

IRFP140 Тип транзистора: MOSFET Тип канала управления: N-канал Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 180 Вт Максимальное напряжение утечка-утечка |Vds|: 100 В Максимальное напряжение затвор-утечка |Vgs|: 20 В Максимальное пороговое затворное напряжение |Vgs(th)|: 4 В Максимальный ток стока | Id |: 31 А Максимальная температура соединения (Tj): 175 °C Общий заряд затвора (Qg): 72 (макс.) нКл Время нарастания (tr): 44 нс Выходная емкость (Cd): 550 пФ Максимальное сопротивление в открытом состоянии сток-утечка (Rds): 0,077 Ом Корпус: TO247AC

-25%

-21%

-25%

-24%

38 ₴

29 ₴

BUZ100S PD (369608498)

Тип транзистора: MOSFET Тип канала управления: N-канал Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 170 Вт Максимальное напряжение утечка-утечка |Vds|: 55 В Максимальное напряжение затвор-утечка |Vgs|: 20 В Максимальное пороговое затворное напряжение |Vgs(th)|: 4 В Максимальный ток стока | Id |: 77 А Максимальная температура соединения (Tj): 175 °C Общий заряд затвора (Qg): 65 нКл Время роста (tr): 30 нс Выходная емкость (Cd): 615 пФ Максимальное сопротивление утечке-утечке в открытом состоянии (Rds): 0,015 Ом Корпус: TO-220AB

-24%

38 ₴

29 ₴

P4NA60 PD (369608497)

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.75 V |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.3 A Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C Qgⓘ - Общий заряд затвора: 32 nC trⓘ - Время нарастания: 60 ns Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.2 Ohm Тип корпуса:

-25%

60 ₴

45 ₴

IRF7842 PD (369608496)

IRF7842 Тип транзистора: MOSFET Тип канала управления: N-канал Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2,5 Вт Максимальное напряжение утечка-утечка |Vds|: 40 В Максимальное напряжение затвор-утечка |Vgs|: 20 В Максимальное пороговое затворное напряжение |Vgs(th)|: 2,25 В Максимальный ток стока | Id |: 18 А Максимальная температура соединения (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 33 нКл Время нарастания (tr): 12 нс Выходная емкость (Cd): 680 пФ Максимальное сопротивление в открытом состоянии сток-утечка (Rds): 0,005 Ом Корпус: SO8

-22%

-24%

71 ₴

54 ₴

2SJ241 PD (369608492)

Тип транзистора: MOSFET Тип канала управления: P-канал Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 Вт Максимальное напряжение утечка-утечка |Vds|: 60 В Максимальное напряжение затвор-утечка |Vgs|: 20 В Максимальное пороговое затворное напряжение |Vgs(th)|: 2 В Максимальный ток стока | Id |: 20 А Максимальная температура соединения (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 20 нс Выходная емкость (Cd): 1500 пФ Максимальное сопротивление в открытом состоянии сток-утечка (Rds): 0,045 Ом Корпус: TO220FL

-21%

14 ₴

11 ₴

P2N60A PD (369608491)

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C Qgⓘ - Общий заряд затвора: 15 nC trⓘ - Время нарастания: 15 ns Cossⓘ - Выходная емкость: 38 pf Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm Тип корпуса:

-23%

22 ₴

17 ₴

IRF520 PD (369608489)

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.2 A Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C Qgⓘ - Общий заряд затвора: 16(max) nC trⓘ - Время нарастания: 30 ns Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.27 Ohm Тип корпуса:

-25%

8 ₴

6 ₴

BS250 PD (369608488)

Тип транзистора: MOSFET Тип канала управления: P-канал Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0,8 Вт Максимальное напряжение утечка-утечка |Vds|: 60 В Максимальное напряжение затвор-утечка |Vgs|: 20 В Максимальное пороговое затворное напряжение |Vgs(th)|: 3 В Максимальный ток стока | Id |: 0,27 A Максимальная температура соединения (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 1,7 нКл Время нарастания (tr): 15,5 нс Максимальное сопротивление утечке-утечке в открытом состоянии (Rds): 6 Ом Корпус: ТО-92

-25%

36 ₴

27 ₴

P4NA80 PD (369608487)

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.75 V |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C Qgⓘ - Общий заряд затвора: 44 nC trⓘ - Время нарастания: 70 ns Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6 Ohm Тип корпуса:

4 ₴

PDTC144WEF Транзистор NPN PD (369608485)

Транзистор PDTC144WEF — это биполярный транзистор NPN со встроенными резисторами, позволяющий упростить схемы и уменьшить количество компонентов. Основные характеристики Тип транзистора: NPN, предварительно биасированный (pre-biased) Напряжение коллектор-эмиттер (Vceo): 50 В Максимальный ток коллектора (Ic max): 100 мА Мощность рассеяния (PC): 250 мВт Встроенные резисторы: R1 = 47 кОм (базовый резистор) R2 = 22 кОм (эмиттерный резистор) Тип корпуса: SOT-523 (SC-89) Температурный диапазон от -65°C до +150°C. Преимущества использования Встроенные резисторы: уменьшают необходимость в дополнительных компонентах, упрощая дизайн схемы. Уменьшение стоимости: благодаря уменьшению количества компонентов снижаются затраты на монтаж и компоновку. Универсальность: подходит для общего предназначения, включая инверторы, интерфейсные и драйверные схемы. Применение PDTC144WEF идеально подходит для: Общее назначение в схемах переключения и усиления. Инверторные и интерфейсные схемы. Драйверные схемы.

-25%

170 ₴

128 ₴

APT1001R6BN PD (369608484)

Тип транзистора: MOSFET Тип канала управления: N-канал Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 240 Вт Максимальное напряжение утечка-утечка |Vds|: 1000 В Максимальное напряжение затвор-утечка |Vgs|: 30 В Максимальный ток стока | Id |: 8 А Максимальная температура соединения (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 66 нКл Время нарастания (tr): 13 нс Выходная емкость (Cd): 230 пФ Максимальное сопротивление утечке-утечке в открытом состоянии (Rds): 1,6 Ом Корпус: TO247

-23%

35 ₴

27 ₴

BUK452-50A PD (369608481)

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C trⓘ - Время нарастания: 25 ns Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm Тип корпуса: TO-220AB

-25%

-24%

-25%

< Назад12 3 Вперед >

ПОМОЩЬ

Все для автомобилей (Бренд - PD)