Тип транзистора: MOSFET Тип канала управления: N-канал Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0,83 Вт Максимальное напряжение утечка-утечка |Vds|: 80 В Максимальное напряжение затвор-утечка |Vgs|: 20 В Максимальное пороговое затворное напряжение |Vgs(th)|: 3,5 В Максимальный ток стока | Id |: 0,3 А Максимальная температура соединения (Tj): 150 °C Выходная емкость (Cd): 13 пФ Максимальное сопротивление утечке-утечке в открытом состоянии (Rds): 10 Ом Комплектация: ТО-92